SeungNam Cha, Jung Inn Sohn, and their team have developed a novel synthesis approach for high-quality, large-scale transition-metal dichalcogenide monolayers, as described in article number 1702206. By using a low supersaturation level triggered by the evaporation of a thin precursor layer, they achieved uniform and clean large-area monolayer films under stable conditions. The resulting vertically stacked heterostructured device demonstrates fast response time and high photoresponsivity.

チャ・スンナム、ソン・ジュンイン、およびそのチームは、記事番号1702206で説明されているように、高品質で大規模な遷移金属ダイカルコゲナイド単層膜の新しい合成方法を開発しました。非常に薄い前駆体層の蒸発によって引き起こされる低飽和レベルを使用することで、安定した環境下で均一でクリーンな大面積単層膜を実現しました。結果として得られる垂直積層ヘテロ構造デバイスは、高速な応答時間と高い光応答性を示します。