シリコン窒化物（Si3N4）層を下部電極と鉄酸化物–グラフェン酸化物（FeOx–GO）ハイブリッド活性材料の間に挿入することで、自己整流I–V特性を持つ抵抗性ランダムアクセスメモリ（RRAM）デバイスを開発しました。Au/Ni/FeOx–GO/Si3N4/n+-Siデバイスは優れた抵抗スイッチング性能と高い整流比を示しました。この革新的な設計は、RRAMのアーキテクチャを簡素化し、スイッチングの安定性と均一性を向上させます。