[カバーピクチャー] Photo-Carrier-Guiding Behavior of Vertically Grown MoS2 and MoSe2 in Highly Efficient Low-Light Transparent Photovoltaic Devices on Large-Area Rough Substrates

Science Journal Cover design

研究者たちは、二次元のMoX2(X = S, Se)フィルムを初めて粗い透明導電性FドープSnO2ガラス基板上に垂直に成長させ、これを透明水素化アモルファスシリコン(a-Si)薄膜太陽電池(TFSCs)の光生成キャリアガイド層(CGL)として使用しました。特に、530°Cで透明FTOガラス基板上に成長したMoSe2 CGL層は、セルの性能を大幅に向上させました。20 nmのMoSe2 CGLを持つ透明なセルは、可視光の26.0%を透過し、室内光条件(0.16 mW cm–2、500 lx)で27.1%の優れた変換効率を達成しました。TFSCsはまた、7 mW cm–2で32,000 Ωのシャント抵抗(Rsh)を示し、低光量のPVデバイスでキャリアの散逸を防ぐために重要です。これらの発見は、垂直に成長したMoX2フィルムを持つ透明a-Siが、非常に低光量環境でも電力を生成できる建物一体型PV窓や室内PVアプリケーションで広く利用される可能性を示唆しています。-カバーピクチャー制作はサピエンスが担当しました。

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.9b18380

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