二次元遷移金属ジカルコゲナイド（2D TMD）層は、その薄さと優れた電気的および光学的特性から、伸縮性および折りたたみ可能な電子機器に非常に有望です。予測される大きなひずみ限界にもかかわらず、高度なデバイスには機械的な耐性が必要です。この記事では、2D TMDを3D構造に変換し、機械的な伸縮性を向上させつつ電気的な整合性を維持する戦略を紹介します。古代の切り紙芸術に触発されたキリガミパターンを使用して、柔軟なポリイミド基板上に2D PtSe2ベースのキリガミ電気導体を作成しました。これらのパターンは、電気伝導を損なうことなく2000%までの伸縮性を実現し、カーボンナノチューブと組み合わせることで調整可能な光応答性も示します。さらに、2D PtSe2層を用いたキリガミ電界効果トランジスタは、機械的な伸縮に応じた調整可能なゲート応答を示します。有限要素モデリングにより、キリガミパターンパラメータがこれらの応答に及ぼす影響が確認されました。これらの高度な3D構造は、エレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスの新しい可能性を開きます。-論文雜誌のカバーピクチャー制作はサピエンスが担当しました。
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