原子レベルの二次元（2D）遷移金属カルコゲナイド（TMDs）は、画像センサーや生体医用画像システムなどの先端光電子デバイスにおいて重要な材料として浮上しています。しかし、その複雑な製造プロセスは、高性能で柔軟性のある光検出器の開発を制限してきました。本研究では、大気圧プラズマ強化化学蒸着法を使用して、多層MoS2を低温（<200 °C）で直接柔軟なSi基板に堆積させる新しいアプローチが採用されました。この革新的な技術により、柔軟な2D-MoS2/Siヘテロ接合ベースの光検出器が開発され、850 nmの波長で10.07 mA W−1の応答性と4.53 × 10^10 Jonesの特異検出性を示しました。この光検出器は、さまざまな曲げ条件下でも優れた柔軟性、耐久性、直線性を発揮し、次世代の柔軟でウェアラブルな光電子デバイスに対する大きな可能性を示しています。-論文雜誌のカバーピクチャー制作はサピエンスが担当しました。

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2021/nr/d0nr07091b#!divAbstract