Chul-Ho Lee、Gwan-Hyoung Lee、および共同研究者は、ファンデルワールスヘテロ構造を使用した新しい発光電界効果トランジスタ（LEFET）を開発しました。グラフェン–WSe2コンタクトにおける正孔と電子の注入を制御することにより、複数の操作モードを実現しました。2D層における励起子の効果的な再結合により、LEFETの外部量子効率が高くなり、将来の光電子回路において重要な役割を果たします。-論文雜誌のカバーピクチャー制作はサピエンスが担当しました。

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202070320