記事番号2100028で、Jiyoung KimとSi Joon Kimのチームは、低熱予算プロセス（400°C以下）を使用したフルオライト構造強誘電体の開発に関する重要な要素をレビューしています。彼らは、ドーピング効果、堆積法、アニーリング技術、基板材料がこれらの材料の作成にどのように影響するかを探求しています。これらのプロセスは、強誘電回路のバックエンドオブライン統合や、柔軟で着用可能な電子機器への応用に不可欠です。-カバーピクチャー(Cover picture)制作はサピエンスが担当しました。

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssr.202170020