電場誘起ドーピング処理が単層グラフェン（MLG）フィルムに適用され、透明導電電極（TCE）としての使用性が向上しました。ニッケル（Ni）がドーピング源として使用され、3.62 ± 0.34 Vの電圧でAlNバッファー層を介してNiパッドからMLGフィルムへの電気移動によってイオン化されたNiの導電ブリッジが形成されます。このプロセスにより、MLGのシート抵抗は712 ± 75.2 Ω sq−1から216 ± 46.1 Ω sq−1に減少し、表面電流は6.63 ± 2.07 nAから8.91 ± 1.62 nAに増加します。p型ドーピング効果により、MLGの仕事関数は4.36 eVから5.0 eVに増加します。X線光電子分光法とラマン分光分析によって、Ni原子がMLGにインターカレートされていることが確認されました。NiドープMLGは365 nm発光ダイオードのTCE層として使用され、標準的な100 nm厚のインジウムスズ酸化物電極を使用したLEDと比較して、はるかに優れた光学特性を示します。-カバーピクチャーの制作はサピエンスが担当しました。

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2019/nh/c8nh00374b#!divAbstract