有機-無機ハロゲン化物ペロブスカイトは、様々な光電子デバイスに対する大きな可能性から注目を集めていますが、実用化においては鉛の毒性、比較的低い電界効果移動度、操作中の強いヒステリシスなどの重要な障害が存在します。本論文では、ペロブスカイトベースの薄膜トランジスタ（TFT）の移動度と操作安定性を著しく向上させ、デュアルスイープヒステリシスを低減する普遍的なアプローチを提案します。低次元無鉛ペロブスカイト材料（PEA）2SnI4と半導体カーボンナノチューブ（semi-CNT）を組み合わせることで、キャリア輸送がスムーズになり、トラッピングと散乱が減少します。この（PEA）2SnI4/semi-CNTハイブリッドフォトトランジスタは、超高感度6.3 × 10^4 A/Wおよび検出度1.12 × 10^17 Jonesを示し、これまでの最高のデバイスよりも2〜3桁高い性能を誇ります。この結果は、ペロブスカイト/semi-CNTハイブリッドプラットフォームの有望な可能性を示し、高性能ペロブスカイトナノ材料光電子デバイスへの応用が期待されます。-カバーピクチャーの制作はサピエンスが担当しました。
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